электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → PSMN015-110P

PSMN015-110P

Вы можете купить PSMN015-110P в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты PSMN015-110P компании NXP распространяется гарантия год

Производитель: NXP

Описание: MOSFETs - Arrays RAIL PWR-MOS

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	110 V
Continuous Drain Current	75 A
Power Dissipation	300 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.0405 Ohm @10V
Resistance Drain-Source RDS (on)
Typical Turn-Off Delay Time