электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI1563EDH-T1-E3

SI1563EDH-T1-E3

Вы можете купить SI1563EDH-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI1563EDH-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 20V 1.28/1.0

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	SOT-363
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	1.13 A @ N Channel
Power Dissipation	570 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.28 Ohm @ 4.5 V Ohm @ N Channel
Typical Turn-Off Delay Time	210 ns @ N Channel