электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI1913EDH-T1-E3

SI1913EDH-T1-E3

Вы можете купить SI1913EDH-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI1913EDH-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 20V 1.0A

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	SOT-363
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	0.88 A
Power Dissipation	570 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.49 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	850 ns