электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI2305DS-T1-E3

SI2305DS-T1-E3

Вы можете купить SI2305DS-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI2305DS-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: P-Channel MOSFETs 8V 3.5A 1.25W

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-236
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	8 V
Continuous Drain Current	3.5 A
Power Dissipation	1250 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.052 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	19 ns