электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI2308DS-T1-E3

SI2308DS-T1-E3

Вы можете купить SI2308DS-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI2308DS-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 60V 2.0A 1.25

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-236
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Continuous Drain Current	2 A
Power Dissipation	1250 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.16 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	6 ns