электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

Вы можете купить SI2318DS-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI2318DS-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 40V 6A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-236
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	40 V
Continuous Drain Current	3 A
Power Dissipation	750 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.045 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	15 ns