электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI3460DV-T1-E3

SI3460DV-T1-E3

Вы можете купить SI3460DV-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI3460DV-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 20V 6.8A 2W

Характеристики:

Configuration	Single Quad Drain
Package / Case	TSOP
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	5.1 A
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.027 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	30 ns