электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI3552DV-T1-E3

SI3552DV-T1-E3

Вы можете купить SI3552DV-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI3552DV-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 30V 2.5/1.8A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TSOP
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	2.5 A
Power Dissipation	1.15 W
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.105 Ohm @ 10 V Ohm @ N Channel
Typical Turn-Off Delay Time	14 ns @ Channel 1