электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI3588DV-T1-E3

SI3588DV-T1-E3

Вы можете купить SI3588DV-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI3588DV-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 20V 3.0/2.2A

Характеристики:

Configuration	Dual
Package / Case	TSOP
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	2.5 A
Power Dissipation	830 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.08 Ohm @ 4.5 V Ohm @ N Channel
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns @ N Channel