электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI4558DY-T1-E3

SI4558DY-T1-E3

Вы можете купить SI4558DY-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI4558DY-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 30V 6A 2.4W

Характеристики:

Configuration	Dual Common Quad Drain
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N and P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	6 A
Power Dissipation	2400 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.04 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	24 ns @ N Channel or 25 ns @ P Channel