электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI4832DY-T1-E3

SI4832DY-T1-E3

Вы можете купить SI4832DY-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI4832DY-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 30V 9A 2.5W

Характеристики:

Configuration	Single Quad Drain Triple Source
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	6.9 A
Power Dissipation	1400 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.018 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns