электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI4842BDY-T1-E3

SI4842BDY-T1-E3

Вы можете купить SI4842BDY-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI4842BDY-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 30V 23A 3.5W

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Continuous Drain Current	28 A
Power Dissipation	6250 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0057 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns