электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI4966DY-T1-E3

SI4966DY-T1-E3

Вы можете купить SI4966DY-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI4966DY-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 20V 7.1A 2W

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	SOIC N
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	7.1 A
Power Dissipation	2000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.025 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns