электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI5975DC-T1

SI5975DC-T1

Вы можете купить SI5975DC-T1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI5975DC-T1 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 12V 4.1A 2.1W

Характеристики:

Configuration	Dual Dual Drain
Package / Case	ChipFET
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	12 V
Continuous Drain Current	3.1 A
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.086 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	26 ns