электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI6862DQ-T1-E3

SI6862DQ-T1-E3

Вы можете купить SI6862DQ-T1-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI6862DQ-T1-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: Dual MOSFETs 20V 6.6A 1.8W

Характеристики:

Configuration	Dual Common Dual Drain Common Gate
Package / Case	TSSOP
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	5.2 A
Power Dissipation	1100 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.026 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns