электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SI8419DB-T1-E1

SI8419DB-T1-E1

Вы можете купить SI8419DB-T1-E1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SI8419DB-T1-E1 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: P-Channel MOSFETs P-CH 8V 7.8A

Характеристики:

Configuration	Single Dual Drain
Package / Case	Micro FOOT
Transistor Polarity	P-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	8 V
Continuous Drain Current	7.8 A
Power Dissipation	2770 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.035 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	155 ns