электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SSI2N60BTU

SSI2N60BTU

Вы можете купить SSI2N60BTU в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SSI2N60BTU компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-Ch/600V/2a/5Ohm

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	I2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	2 A
Power Dissipation	3130 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	5 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	40 ns