электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SSR1N60BTM

SSR1N60BTM

Вы можете купить SSR1N60BTM в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SSR1N60BTM компании Fairchild Semiconductor распространяется гарантия год

Производитель: Fairchild Semiconductor

Описание: MOSFETs N-Ch/600V/0.9a/12Ohm

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	DPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	0.9 A
Power Dissipation	2500 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	0.92 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	12 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	35 ns