электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB100NH02LT4

STB100NH02LT4

Вы можете купить STB100NH02LT4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB100NH02LT4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-Ch 24 Volt 60 Amp

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	24 V
Continuous Drain Current	60 A
Power Dissipation	100000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	40 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.006 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	18 ns