электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB11NM60T4

STB11NM60T4

Вы можете купить STB11NM60T4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB11NM60T4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-Ch 600 Volt 11 Amp

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	11 A
Power Dissipation	160000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	5.2 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.45 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	11 ns