электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB12NM50N

STB12NM50N

Вы можете купить STB12NM50N в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB12NM50N компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-CHANNEL MOSFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	11 A
Power Dissipation	100000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	17 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.38 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	14 ns