электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB12NM60N-1

STB12NM60N-1

Вы можете купить STB12NM60N-1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB12NM60N-1 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	I2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	10 A
Power Dissipation	90000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.41 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns