электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB13NM50N

STB13NM50N

Вы можете купить STB13NM50N в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB13NM50N компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	12 A
Power Dissipation	100000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.32 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns