электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB16NK65Z-S

STB16NK65Z-S

Вы можете купить STB16NK65Z-S в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB16NK65Z-S компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N Ch 650 V 0.38 Ohm 13A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	I2SPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Continuous Drain Current	13 A
Power Dissipation	190000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.5 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	17 ns