электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB25NM50N-1

STB25NM50N-1

Вы можете купить STB25NM50N-1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB25NM50N-1 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-CHANNEL MFT

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	I2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	21.5 A
Power Dissipation	160000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	19 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.15 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns