электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB50NE10L

STB50NE10L

Вы можете купить STB50NE10L в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB50NE10L компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: MOSFETs RO 511-STB40NF10L

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Continuous Drain Current	50 A
Power Dissipation	150000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.025 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns