электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB60N55F3

STB60N55F3

Вы можете купить STB60N55F3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB60N55F3 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors STripFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Continuous Drain Current	80 A
Power Dissipation	110000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	50 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0085 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	11.5 ns