электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STB80NE06-10T4

STB80NE06-10T4

Вы можете купить STB80NE06-10T4 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STB80NE06-10T4 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: MOSFETs N-CH 60V 80A

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	D2PAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Continuous Drain Current	80 A
Power Dissipation	150000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	38 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.01 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	75 ns