электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STD8NM60N-1

STD8NM60N-1

Вы можете купить STD8NM60N-1 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STD8NM60N-1 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-Channel 600V Pwr Mosfet

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	IPAK
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	7 A
Power Dissipation	70000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.65 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	10 ns