электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STFV4N150

STFV4N150

Вы можете купить STFV4N150 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STFV4N150 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220FH
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	1500 V
Continuous Drain Current	4 A
Power Dissipation	40000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	3.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.007 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	45 ns