электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STP11NM60N

STP11NM60N

Вы можете купить STP11NM60N в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STP11NM60N компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: Power MOSFET Transistors N-channel MOSFET

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	600 V
Continuous Drain Current	10 A
Power Dissipation	90000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	7.5 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.45 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	12 ns