STP16NM50N
Вы можете купить STP16NM50N STP16NM50N компании STMicroelectronics распространяется гарантия год
Производитель: STMicroelectronicsОписание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N Ch 600V 7A Pwr MESH IGBT
Характеристики:
Configuration
Single
Package / Case
TO-220
Transistor Polarity
N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage
500 V
Continuous Drain Current
15 A
Power Dissipation
125000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)
0.26 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time
16 ns
Datasheet (Техническое описание) STP16NM50N STMicroelectronicsпоиск в бесплатном архиве даташитов datasheet.su
Цена на STP16NM50N
1 228.38 10 189.36 100 165.95 250 142.53 500 131.09 1,000 126.93 2,000 123.29
Цены в рублях с НДС
Минимальная партия:
1 шт.
Доступно:
992 шт.
Если в наличии нет, то отправьте запрос на поиск STP16NM50N
Купить STP16NM50N
(форма запроса)
Фото STP16NM50N Изображение может отличаться от оригинала. Сообщить об ошибке .
