электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STP180N55F3

STP180N55F3

Вы можете купить STP180N55F3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STP180N55F3 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBTs Insulated Gate Bipolar Transistor N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	55 V
Continuous Drain Current	120 A
Power Dissipation	330000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.0038 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	50 ns