электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → STP4NB50

STP4NB50

Вы можете купить STP4NB50 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты STP4NB50 компании STMicroelectronics распространяется гарантия год

Производитель: STMicroelectronics

Описание: MOSFETs RO 511-STP4NK50Z

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-220
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	3.8 A
Power Dissipation	80000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	2.3 S
Resistance Drain-Source RDS (on)	2.8 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	5 ns