электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → SUB85N02-06-E3

SUB85N02-06-E3

Вы можете купить SUB85N02-06-E3 в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты SUB85N02-06-E3 компании Vishay/Siliconix распространяется гарантия год

Производитель: Vishay/Siliconix

Описание: N-Channel MOSFETs 20V 85A 120W

Характеристики:

Configuration	Single
Package / Case	TO-263
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	20 V
Continuous Drain Current	85 A
Power Dissipation	120000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.006 Ohm @ 4.5 V
Typical Turn-Off Delay Time	100 ns