электронные компоненты

Поиск по складу

→ Каталог → Полупроводниковые Приборы → Транзисторы (Полевые, Биполярные, IGBT) → Полевые ВЧ транзисторы → IXFN64N50P

IXFN64N50P

Вы можете купить IXFN64N50P в нашей компании со склада (при условии наличия) или заказать со сроком поставки от 5 дней. На электронные компоненты IXFN64N50P компании Ixys распространяется гарантия год

Производитель: Ixys

Описание: Power MOSFETs 500V 64A

Характеристики:

Configuration	Single Dual Source
Package / Case	SOT-227B
Transistor Polarity	N-Channel
Drain-Source Breakdown Voltage	500 V
Continuous Drain Current	61 A
Power Dissipation	700000 mW
Forward Transconductance gFS (Max / Min)	50 s
Resistance Drain-Source RDS (on)	0.085 Ohm @ 10 V
Typical Turn-Off Delay Time	22 ns